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询价产品信息
商品详情
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
规格型号：IPB072N15N3G
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
系列: OptiMOS 3
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 小值: 65 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 1000
